方大炭素深耕炭基新材料 加码半导体材料国产化攻坚

　　当下，全球半导体材料产业迭代提速、格局革新，呈现三代、四代技术并行演进、分层落地的发展态势。各代际半导体材料各司其职、精准赋能，深度适配不同场景产业刚需，国内材料领域国产替代浪潮持续纵深推进，成为产业高质量发展的核心主线。其中，以碳化硅、氮化镓为核心的第三代半导体材料，凭借优异性能广泛落地新能源汽车、5G通信等主流赛道，实现规模化商用普及；磷化铟作为光通信核心衬底材料，受益于AI算力产业爆发式增长，市场需求持续走高、供需热度持续攀升；以氮化铝、氧化镓为代表的第四代超宽禁带半导体材料，更是前瞻布局6G通信、量子计算等未来核心领域，成为引领下一代科技变革的战略性关键材料。

　　立足产业变革浪潮，方大炭素凭借数十年深耕炭素材料、复合材料、石墨材料领域的技术积淀与产业深耕优势，聚力整合核心研发资源、集聚精锐科创力量，搭建起从基础前沿研究、样品试制测试、中试验证优化到规模化量产的全链条、闭环式创新体系，打通技术研发与产业落地的关键壁垒。

　　公司依托已设立的石墨烯新材料研究院半导体所、成都炭材技术研发部半导体所两大三级科研机构，成功构建“前沿基础研发+工程落地转化”双向赋能的科创新矩阵，以科技创新撬动传统炭素主业转型升级，加速企业向高端半导体新材料赛道跨越跃升，实现产业提质、技术提级、价值提升的多维突破。

　　据了解，两大专项科研机构已完成优质资源的系统性整合，集聚骨干研发团队、专业化实验平台与深度产学研合作资源，以专项课题联合攻坚、高端人才引育赋能为核心抓手，锚定高端半导体炭基材料核心赛道。研发重点聚焦超高纯细颗粒石墨、碳化硅（SiC）涂层石墨、玻璃碳涂层石墨等核心战略性产品，积极拓展氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等半导体材料产业业务，实现传统材料到下游应用的延链补链。

　　目前，机构已细化各阶段技术攻关指标、明晰成果转化实施路径、完善分层人才培养体系，实行清单化管理、项目化推进、责任化落实，科研筹备、课题立项、产业链精准对接等各项工作稳步落地、有序铺开。同时，企业持续深化产学研协同联动，强化半导体产业链上下游聚力赋能、深度耦合，加速高性能半导体炭基材料技术迭代与产品升级，以硬核科创实力与高品质产品补齐国内半导体产业链材料短板、补强产业弱项，持续助力我国半导体材料自主可控建设，为国内半导体产业高质量、高安全、可持续发展注入强劲方大动能。

　　（汪蕾）